삼성전자, 세계 최초 HBM4E 12단 샘플 출하하며 AI 시장 공략

삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 가속기용 메모리인 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 시장 공략을 가속화하고 있다 [1]. 지난 2월 HBM4 양산 출하 이후 수개월 만에 후속 제품인 HBM4E 샘플을 선보이며 기술적 리더십을 증명하는 모습이다 [3].

Key takeaways

• 삼성전자가 세계 최초로 12단 적층 구조의 HBM4E 샘플을 출하했다 [1].
• 신제품은 핀당 최대 16Gbps의 속도를 지원하며 전작 대비 성능이 20% 이상 향상됐다 [2].
• 1c D램과 4나노 로직 다이를 적용해 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 개선했다 [4].
• 삼성전자는 메모리, 파운드리, 패키징을 아우르는 '원스톱 턴키' 체제로 공급 안정성을 확보할 계획이다 [5].

차세대 AI 가속기 겨냥한 기술 고도화

이번에 출하된 HBM4E 12단 제품은 48GB의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다 [2]. 성능 면에서도 핀당 동작 속도를 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원하며, 단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭을 제공한다 [3]. 삼성전자는 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB 8단 제품부터 64GB 16단 제품까지 라인업을 확대할 방침이다 [6].

기술적 안정성을 위해 삼성전자는 HBM4에서 검증된 1c D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이 조합을 이번 신제품에도 적용했다 [1]. 이를 통해 초미세 공정의 안정성을 극대화하고 수율과 양산성을 확보했다는 평가를 받는다 [4]. 또한 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 고부하 AI 연산 환경에서 발생하는 발열 문제를 제어하고 데이터센터의 전력 소모를 줄이는 데 초점을 맞췄다 [6].

왜 중요한가

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 HBM4E 양산 공급을 추진할 예정이다 [1]. 메모리부터 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징까지 아우르는 '원스톱 턴키 솔루션'은 삼성전자가 내세우는 핵심 경쟁력으로, 이를 통해 글로벌 AI 인프라 시장에서의 공급 역량을 강화하겠다는 전략이다 [3].

업계에서는 HBM4와 HBM4E가 동일한 공정 기반으로 설계되었다는 점에서 이번 샘플 역시 양산 전환 가능성이 높을 것으로 관측하고 있다 [5]. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 이번 성과를 통해 독보적인 기술 리더십을 시장에 각인시켰으며, 앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 통해 시장 성장을 주도하겠다고 밝혔다 [4].